特許
J-GLOBAL ID：200903064584211818
赤外線センサ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-307756
公開番号（公開出願番号）：特開平5-142039
出願日： 1991年11月22日
公開日（公表日）： 1993年06月08日
要約：
【要約】【目的】 自己発熱が小さく、赤外線検出感度や最小検出能が劣化することのない赤外線センサを提供することを目的とする。【構成】 半導体基板11に照射された赤外線は赤外線吸収膜19に効率良く吸収される。この時、受光領域の半導体基板11の裏面は薄層化されているため、吸収された赤外線の熱エネルギは逃げにくい。赤外線吸収膜19の温度はこの熱エネルギによって上昇し、この温度上昇は受光領域の中心付近に設けられたセンサ用ダイオードDF に伝えられる。センサ用ダイオードDF には定電流ダイオードDR から絶対値の小さな定電流が供給されており、ダイオードDF の通電電流は赤外線照射による温度上昇に対応して変化する。
請求項（抜粋）：
赤外線照射に基づく温度変化に応じて通電電流が変化する順バイアスされた第1のダイオードと、この第1のダイオードに定電流を供給するこの第1のダイオードに直列に接続され逆バイアスされた第2のダイオードとを備えて構成されたことを特徴とする赤外線センサ。
IPC (3件)：
G01J 1/02
, G01J 1/04
, G01J 1/44
