特許
J-GLOBAL ID:200903064584434876

多層配線基板の製造方法及びその製造方法で製造される多層配線基板

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 青木 健二 (外7名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-131105
公開番号(公開出願番号):特開平5-327224
出願日: 1992年05月22日
公開日(公表日): 1993年12月10日
要約:
【要約】 (修正有)【目的】高密度配線を容易に形成するとともに、絶縁層の開口部周縁における絶縁層と導体層との剥離を抑制し、しかも電気的信頼性を向上する。【構成】片面銅張りガラスエポキシ基板3の表面の第1導体層2に、感光性エポキシ樹脂による絶縁層4を形成する。次に、絶縁層4にフォトマスクを介して露光した後に現像することにより、電気的導通部形成用の開口部5を形成する。次いで、電気的導通部形成用の開口部5に電解銅めっきにより金属を折出させるとともに、この析出金属10により電気的導通部形成用の開口部5を充填することにより、中実の円柱状の電気的導通部を形成する。更に、絶縁層4上に第2導体層を形成する。
請求項(抜粋):
導体層上に感光性樹脂による絶縁層を形成する工程と、該絶縁層にフォトマスクを介して露光した後に現像することにより、電気的導通部形成用の開口部を形成する工程と、該開口部に電解めっきにより金属を折出させるとともに、この析出金属により前記開口部を充填することにより、前記導体層に電気的に接続する電気的導通部を形成する工程と、前記絶縁層上に金属を付着させ、前記電気的導通部に電気的に接続する他の導体層を形成する工程とからなることを特徴とする多層配線基板の製造方法。
IPC (4件):
H05K 3/46 ,  H01L 21/90 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/14
FI (4件):
H01L 23/12 Q ,  H01L 23/12 N ,  H01L 23/14 R ,  H01L 23/14 M

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