露光装置及び半導体素子の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高梨幸雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-061034
公開番号（公開出願番号）：特開平6-036993
出願日： 1993年02月24日
公開日（公表日）： 1994年02月10日
要約：

【要約】【目的】位相シフト法を適用した位相シフトマスク(レチクル)を用いてウエハ面上にパターンを露光する際に、環境条件を良好に維持し、所定の位相差が付与出来るようにし、高解像力のパターン像が得られる露光装置及び半導体素子の製造方法を得ること。【構成】透明部と不透明部とを有したパターンのうち該透明部の一部に通過光束に対して所定の位相差を付与する位相シフト膜22を施した位相シフトマスク2を被露光物体6に露光する露光装置において、該位相シフトマスクの雰囲気中の環境条件を制御する制御手段8を設けたこと。

請求項（抜粋）：

透明部と不透明部とを有したパターンのうち該透明部の一部に通過光束に対して所定の位相差を付与する位相シフト膜を施した位相シフトマスクを被露光物体に露光する露光装置において、該位相シフトマスクの雰囲気中の環境条件を制御する制御手段を設けたことを特徴とする露光装置。

IPC (3件)：

H01L 21/027 , G03F 1/08 , G03F 7/20 521

FI (2件)：

H01L 21/30 311 W , H01L 21/30 301 P

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