特許
J-GLOBAL ID：200903064591188635
加速度センサおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
伊藤 洋二
, 三浦 高広
, 水野 史博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-085405
公開番号（公開出願番号）：特開2006-266873
出願日： 2005年03月24日
公開日（公表日）： 2006年10月05日
要約：
【課題】 垂直変位型の加速度センサにおいて、可動電極および固定電極の安定した出来映えを実現する。【解決手段】 支持基板14上にシリコン半導体層12を積層してなる半導体基板10を備え、シリコン半導体層12に対して第1の方向Zにトレンチエッチングを行うことにより、可動電極20と、可動電極20に対して第2の方向Xにて検出間隔40を有して対向する固定電極30とがパターニングされており、可動電極20の第1の方向Zへの変位による両電極20、30間の容量変化に基づいて加速度検出するようになっており、トレンチ15を介して、両電極20、30の底部をサイドエッチングすることによって可動電極20が支持基板14からリリースされており、可動電極20の第2の方向Xに沿った幅が固定電極30のそれよりも小さく、可動電極20の第1の方向Zに沿った厚さが固定電極30のそれよりも小さい。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
支持基板(14)上にシリコン半導体層(12)を積層してなる半導体基板(10)を備え、
前記シリコン半導体層(12)に対して前記半導体基板(10)の基板面と垂直な第1の方向(Z)にトレンチエッチングを行うことにより、前記シリコン半導体層(12)には、可動電極(20)と、前記可動電極(20)に対して前記半導体基板(10)の基板面と平行な第2の方向(X)にて検出間隔(40)を有して対向する固定電極(30)とがパターニングされており、
前記第1の方向(Z)に沿った加速度が印加されたときに前記可動電極(20)が前記第1の方向(Z)に変位し、この変位に伴う前記可動電極(20)と前記固定電極(30)との間の容量変化に基づいて前記加速度を検出するようにした加速度センサにおいて、
前記トレンチエッチングにより形成されたトレンチ(15)を介して、前記可動電極(20)および前記固定電極(30)における前記支持基板(14)側の底部をサイドエッチングすることによって、少なくとも前記可動電極(20)が前記支持基板(14)からリリースされており、
前記可動電極(20)における前記第2の方向(X)に沿った幅が、前記固定電極(30)における前記第2の方向(X)に沿った幅よりも小さく、
前記可動電極(20)における前記第1の方向(Z)に沿った厚さが、前記固定電極(30)における前記第1の方向(Z)に沿った厚さよりも小さいことを特徴とする加速度センサ。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
出願人引用 (1件)
審査官引用 (6件)
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