特許
J-GLOBAL ID：200903064591517710
回路素子の劣化検出回路
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
古谷 栄男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-009855
公開番号（公開出願番号）：特開平7-221369
出願日： 1994年01月31日
公開日（公表日）： 1995年08月18日
要約：
【要約】【目的】 劣化検出精度が高く、コンパクトな回路素子の劣化検出回路を提供することを目的とする。【構成】 半導体レーザダイオード24、APC回路28及び動作電流モニタ用抵抗R1で構成され、劣化情報を含む情報を測定する第一測定回路と、半導体レーザダイオード24及び定電流回路30で構成され、温度を測定する第二測定回路とを、駆動切換え回路32及び測定入力切換え回路34により切換えるよう構成する。CPU40は、この切換えを制御するとともに、得られた二つの測定値から半導体レーザダイオード24の劣化を判定する。したがって、劣化度を判定すべき半導体レーザダイオード自体を温度センサとして使用するため、劣化度を正確に判定することができるとともに、外付けの温度センサが不要となり小型化を要求される機器のコンパクト化を図ることができる。
請求項（抜粋）：
通常動作時において、素子の温度及び劣化度に依存する第一の特性を有するとともに、非通常動作時において、素子の温度に依存する第二の特性を有する回路素子、前記回路素子を構成要素とし、前記第一の特性の値である第一特性値を測定する第一測定回路、前記回路素子を構成要素とし、前記第二の特性の値である第二特性値を測定する第二測定回路、前記第一測定回路と前記第二測定回路とを、選択的に切換える切換え回路、前記切換え回路を制御する切換え信号を発生する、切換え制御手段、前記第一測定値と前記第二測定値に基づき、前記回路素子の劣化度を判定する劣化判定手段、を備えたことを特徴とする回路素子の劣化検出回路。
IPC (3件)：
H01S 3/00
, G01M 11/00
, H01S 3/096
