特許
J-GLOBAL ID：200903064593423437
半導体発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
本庄 伸介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-296165
公開番号（公開出願番号）：特開平5-110132
出願日： 1991年10月15日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：
【要約】【目的】 希土類をドープした半導体発光素子の量子効率を向上する。【構成】 基板に(111)面21を用い、且つ希土類をドープした発光層23に歪を導入する。【効果】 (111)面上に歪層を積層することによりピエゾ電気効果が生じ、内部電界が発生する。この電界により注入されたキャリアは加速され、大幅な量子効率の増大が可能となる。
請求項（抜粋）：
基板面方位が(111)面である半導体基板上に、導電型の異なる半導体層に挟まれた化合物半導体発光部を有してなる半導体発光素子において、該半導体発光部に希土類イオンがドーピングされ、且つ該半導体発光部に歪が導入されていることを特徴とする半導体発光素子。
引用特許：
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