特許

J-GLOBAL ID：200903064594998255

ボトムゲート薄膜トランジスタとその製造方法およびエッチング装置と窒化装置

発明者： 坂井 全弘
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-339964
公開番号（公開出願番号）：特開2002-151693
出願日： 2000年11月08日
公開日（公表日）： 2002年05月24日
要約：

【要約】【課題】 従来のチャネルエッチ型ボトムゲート薄膜トランジスタでは,チャネルエッチ工程においてプラズマ中のイオン性励起種が加速されて基板に衝突することに起因するエッチングダメージによりトランジスタ性能と信頼性が低下していた。【解決手段】 水素ラジカルやフッ素ラジカルなどの非イオン性励起種でチャネルエッチ工程を実施する。特に,抵抗加熱された金属線により,水素ガスを接触分解して得られる水素ラジカルをこれに用いる。または,分子中に窒素原子を含んだガスの分解生成物で窒化することでチャネルエッチ工程の代替とする。特に,抵抗加熱された金属線により,分子中に窒素原子を含んだガスを接触分解して得られる分解生成物をこれに用いる。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上にゲート金属を形成し,前記ゲート金属上にゲート絶縁膜を形成し,前記ゲート絶縁膜上にチャネルとなる高抵抗半導体薄膜を形成し,前記高抵抗半導体薄膜上に,ソース・ドレインとなる低抵抗半導体薄膜を形成し,前記低抵抗半導体薄膜上に,ソース・ドレイン金属を形成する工程を少なくとも含む薄膜トランジスタの製造方法であって,前記ソース・ドレイン金属をエッチングした後,前記低抵抗半導体薄膜を非イオン性励起種によりエッチングすることを特徴とするボトムゲート薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (5件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/306

FI (5件)：

H01L 21/285 S ,  H01L 29/78 616 J ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/302 P ,  H01L 29/78 627 C

Fターム (72件)：

2H092JA26 ,  2H092JA33 ,  2H092JA39 ,  2H092JA40 ,  2H092KA04 ,  2H092KA05 ,  2H092KA10 ,  2H092KA12 ,  2H092KA18 ,  2H092KB24 ,  2H092MA08 ,  2H092MA19 ,  2H092NA17 ,  2H092NA21 ,  4M104AA01 ,  4M104AA02 ,  4M104AA03 ,  4M104AA07 ,  4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB02 ,  4M104BB13 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD37 ,  4M104DD63 ,  4M104EE03 ,  4M104EE17 ,  4M104FF13 ,  4M104GG20 ,  5F004AA06 ,  5F004AA16 ,  5F004BA03 ,  5F004BA19 ,  5F004BB14 ,  5F004BB18 ,  5F004DA17 ,  5F004DA24 ,  5F004DB02 ,  5F004EB02 ,  5F110AA26 ,  5F110BB02 ,  5F110CC07 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110EE44 ,  5F110FF03 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG24 ,  5F110GG44 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK08 ,  5F110HK09 ,  5F110HK14 ,  5F110HK15 ,  5F110HK16 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK25 ,  5F110HK34 ,  5F110HK42 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110QQ04