特許

J-GLOBAL ID：200903064595782477

薄膜トランジスタ及びその製造方法

発明者： 高原 研一
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-294475
公開番号（公開出願番号）：特開平5-136414
出願日： 1991年11月11日
公開日（公表日）： 1993年06月01日
要約：

【要約】【目的】 能動領域が薄く、ソース及びドレイン領域が厚く、かつ能動領域とソース及びドレイン領域との接合欠陥をなくすことによって、高速化・高性能化・低消費電力化・微細化・高集積化が可能な薄膜トランジスタを構成する。。【構成】 基板上に半導体層を積層し、窒化珪素膜層を積層・パターニングした後、窒化珪素膜層の開孔部の半導体層を熱酸化させ、窒化珪素膜層を除去した後、熱酸化膜をマスクとして不純物イオンを導入し、ソース及びドレイン領域と薄い不純物領域と能動領域を形成した後、熱酸化膜を除去し、ゲート絶縁膜とゲート電極を形成する。

請求項（抜粋）：

ソース及びドレイン領域と能動領域とゲート絶縁膜とゲート電極とを有する薄膜トランジスタに於て、ソース及びドレイン領域と能動領域が同一の層からなり、かつ能動領域の膜厚がソース及びドレイン領域の膜厚より薄いことを特徴とする薄膜トランジスタ。