特許

J-GLOBAL ID：200903064595788068

薄膜半導体装置

発明者： 藤野 昌宏 ,  国井 正文 ,  下垣内 康
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 晴敏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-335770
公開番号（公開出願番号）：特開平9-153622
出願日： 1995年11月30日
公開日（公表日）： 1997年06月10日
要約：

【要約】【課題】 薄膜半導体装置の配線に冗長性を付与し断線故障を抑制する。【解決手段】 絶縁基板1上にソース領域S及びドレイン領域Dを備えた薄膜トランジスタ2が集積形成されている。この薄膜トランジスタ2は信号配線6及びゲート配線3を含む複数の配線により電気的に結線されている。各配線3,6及びソース領域S/ドレイン領域Dに割り当てられる複数の導体層が互いに層間絶縁膜4,7を介して電気的に分離されている。信号配線6はゲート配線3との交差部で複数の導体層を利用した多重構造を有している。この多重構造は信号配線6に割り当てられた金属膜からなる主導体層と、元々信号配線6以外に割り当てられた副導体層とで構成されている。この副導体層はソース領域S/ドレイン領域Dと同一層に属する半導体膜5からなる。主導体層と副導体層は両者の間に介在する層間絶縁膜7に開口したコンタクトホール8を介して相互に接続されており所望の冗長性が得られる。

請求項（抜粋）：

信号配線及びゲート配線を含む複数の配線により電気的に結線され且つソース/ドレイン領域を備えた薄膜トランジスタが絶縁基板上に集積形成され、各配線及びソース/ドレイン領域に割り当てられる複数の導体層が互いに層間絶縁膜を介して電気的に分離されている薄膜半導体装置であって、少なくとも一種の配線は部分的に複数の導体層を利用した多重構造を有しており、元々該配線に割り当てられた主導体層と元々該配線以外に割り当てられた副導体層とを両者の間に介在する層間絶縁膜に開口したコンタクトホールを介して相互に接続した冗長性を備える事を特徴とする薄膜半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/136 500

FI (2件)：

H01L 29/78 612 C ,  G02F 1/136 500