ドライエッチング方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高橋明夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-172441
公開番号（公開出願番号）：特開平10-022262
出願日： 1996年07月02日
公開日（公表日）： 1998年01月23日
要約：

【要約】【課題】塩素ガスのみを用いてサブトレンチのない浅溝を形成することができる改良されたドライエッチング方法を提供すること。【解決手段】塩素イオンに1000eV〜1500eVの加速エネルギーを与え、浅溝底面の反応生成物の堆積量制御をガス流量の制御によって行なう。ガス流量を制御することによって、サブトレンチが発生しない範囲の適当量の反応生成物を得る。加速エネルギーは、基板を設置するウェハステージに高周波電力を印加することによって得る。周波数は、塩素イオンの追従が容易となる400〜800kHzとし、印加電圧を高くするためにプラズマ密度を下げる。

請求項（抜粋）：

塩素ガスをプラズマ化して塩素イオンを得、当該塩素イオンに1000eV〜1500eVの加速エネルギーを与えながら塩素ガス流量を制御することによって単結晶シリコン基板に所定のパターンのU字状浅溝を形成することを特徴とするドライエッチング方法。

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