特許

J-GLOBAL ID：200903064600356902

半導体装置等の表面を浄化し、処理する方法

発明者： ロバート エム.ウォラス ,  モンテ エイ.ダグラス
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-137130
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330266
出願日： 1996年05月30日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：

【要約】【課題】 マイクロメカニカル素子のような装置の信頼性を向上しかつ装置の歩留りおよび性能を増大するために効果的である高品位不活性化層を達成する。【解決手段】 デジタルマイクロミラー装置(10)のランディング電極(22)のような装置の表面を、最初に、可溶性の化合物を取り除くため部屋(50)で超臨界流体(SCF)で浄化し、次いで引き続く不活性化ステップまでおよびその間にSCF室内に保持して処理を行なう。

請求項（抜粋）：

装置の表面を浄化し、処理する方法において、上記装置の表面を包囲されかつ制御される環境内に置くこと、上記装置の表面を超臨界流体にされる浄化媒体に晒すこと、上記浄化媒体によって上記装置の表面から遊離される可溶性の化学的混合物を含む物質を上記環境から取り除くこと、汚染物質がこの工程の前に上記装置の表面に付着しないように、上記装置の表面が上記包囲されかつ制御される環境から取り去られる前に、上記装置の表面を上記環境内で処理すること、からなる装置の表面を浄化し、処理する方法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 341 ,  G02B 26/08

FI (2件)：

H01L 21/304 341 M ,  G02B 26/08 E