特許
J-GLOBAL ID:200903064601265595

光短パルス発生方法および光短パルス発生装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 大垣 孝
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-182749
公開番号(公開出願番号):特開平11-024017
出願日: 1997年07月08日
公開日(公表日): 1999年01月29日
要約:
【要約】【課題】 吸光型半導体光変調器の耐圧の限界によらず、半値全幅Wの値を小さくし、光短パルス化を図ること。【解決手段】 信号発生装置12は、周波数fの正弦波交流である第1電気信号と周波数2fの正弦波交流である第2電気信号とを発生する。第1信号源18により第1電気信号を発生させ、第2信号源20により第2電気信号を発生させる。結合器14は、第1入力端子26に入力される第1電気信号と第2入力端子28に入力される第2電気信号とを足し合わせて合成電気信号を得る。結合器14は、この合成電気信号を出力端子30に出力する。光変調器16は、光入力ポート34に入力する被変調光の光変調を、電気信号入力端子32aに入力する合成電気信号で誘起される半導体の電界吸収効果を利用して行う。光変調器16は、光変調により得られる変調光を光出力ポート36に出力する。
請求項(抜粋):
周波数f(fは正の整数)の正弦波交流である第1電気信号と、周波数2fの正弦波交流である第2電気信号とを足し合わせて合成電気信号を得て、該合成電気信号を吸光型半導体光変調器に印加して電界吸収効果を誘起し、前記吸光型半導体光変調器の光入力ポートに被変調光を入射し、前記電界吸収効果により前記被変調光の光変調を行い、前記光変調により得られる変調光を前記吸光型半導体光変調器の光出力ポートから得ることを特徴とする光短パルス発生方法。

前のページに戻る