特許

J-GLOBAL ID：200903064603309280

太陽電池

発明者： イアン スチュワート オズボーン
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-299168
公開番号（公開出願番号）：特開平11-135818
出願日： 1997年10月30日
公開日（公表日）： 1999年05月21日
要約：

【要約】【課題】 従来からの層形成プロセスを使用して、太陽電池の性能を向上させるようにする。【解決手段】 1はガラス基板、2は透明導電膜、3はp型水素化微結晶シリコン層(μc-Si:H-p層)、4は水素化微結晶シリコンからなる微結晶バッファ層、5は真性水素化微結晶シリコン層(μc-Si:H-i層)、6はn型水素化微結晶シリコン層(μc-Si:H-n層)、7は後方反射電極をそれぞれ示している。この太陽電池においては、微結晶バッファ層4が、μc-Si:H-p層3とμc-Si:H-i層5との間に設けられている。

請求項（抜粋）：

p型水素化微結晶シリコン層、真性水素化微結晶シリコン層およびn型水素化微結晶シリコン層をこの順に備えてなる太陽電池において、該p型水素化微結晶シリコン層、該真性水素化微結晶シリコン層および該n型水素化微結晶シリコン層の各々がプラズマCVDにより形成され、かつ、該p型水素化微結晶シリコン層と該真性水素化微結晶シリコン層との間に水素化微結晶シリコンからなる微結晶バッファ層が設けられている太陽電池。

IPC (3件)：

H01L 31/04 ,  C23C 16/42 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

H01L 31/04 A ,  C23C 16/42 ,  H01L 21/205