特許
J-GLOBAL ID:200903064604150179
光学的情報記録用媒体
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
長谷川 曉司
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-325207
公開番号(公開出願番号):特開平10-172179
出願日: 1996年12月05日
公開日(公表日): 1998年06月26日
要約:
【要約】【課題】低反射率ながらCDフォーマットと互換性がとれるよう溝信号が限定され、かつ高コントラストで、多数回のデータの書き換えに対し劣化の少ない相変化媒体を提供する。【解決手段】 トラックピッチが1.6±0.1μmで、蛇行する案内溝を設けた基板上に下部保護層、相変化型記録層、上部保護層、反射層をこの順に設けた光学的情報記録用媒体において、記録層がM<SB>w</SB>(Sb<SB>z</SB>Te<SB>1-z</SB>)<SB>1-w</SB>(0≦w<0.3、0.5<z<0.9、MはIn,Ga,Zn,Ge,Sn,Si,Cu,Au,Ag,Pd,Pt,Pb,Cr,Co,O,S,Seからなる群より選ばれる少なくとも1種)合金薄膜であり、その膜厚、下部保護層の膜厚、さらに案内溝の深さと幅を特定したもの。
請求項(抜粋):
トラックピッチが1.6±0.1μmで、蛇行する案内溝を設けた基板上に下部保護層、相変化型記録層、上部保護層、反射層をこの順に設け、反射率が15%以上25%以下の結晶状態を未記録状態とし反射率10%未満の非晶質状態を記録状態として、案内溝内に基板の記録層とは反対側の面より波長780±30nmの集束光を用いて光強度の2値以上の変調により、非晶質マークの記録・再生・消去を行う光学的情報記録用媒体において、記録層がM<SB>w</SB>(Sb<SB>z</SB>Te<SB>1-z</SB>)<SB>1-w</SB>(0≦w<0.3、0.5<z<0.9、MはIn,Ga,Zn,Ge,Sn,Si,Cu,Au,Ag,Pd,Pt,Pb,Cr,Co,O,S,Seからなる群より選ばれる少なくとも1種)合金薄膜であり、その膜厚が15nm以上30nm以下であり、下部保護層の膜厚が70nm以上150nm未満でありかつ結晶状態の反射率が極小値となる膜厚より0nmを超えて30nm以下厚く、さらに案内溝の深さが25nm以上45nm以下、幅が0.4μm以上0.6μm以下であることを特徴とする光学的情報記録用媒体。
IPC (6件):
G11B 7/24 522
, G11B 7/24
, G11B 7/24 501
, G11B 7/24 511
, G11B 7/24 535
, G11B 7/24 561
FI (6件):
G11B 7/24 522 L
, G11B 7/24 522 A
, G11B 7/24 501 Z
, G11B 7/24 511
, G11B 7/24 535 G
, G11B 7/24 561 M
引用特許:
審査官引用 (6件)
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相変化型光ディスク
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-203544
出願人:日本電気株式会社
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光学的情報記録媒体
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-011872
出願人:日本電気株式会社
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光情報記録媒体
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-119768
出願人:日本電装株式会社
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