特許
J-GLOBAL ID:200903064604933467
基材上の銅層の析出
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
江藤 聡明
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-164244
公開番号(公開出願番号):特開2005-002471
出願日: 2004年06月02日
公開日(公表日): 2005年01月06日
要約:
【課題】無電解めっき法や金属微粒子を含む分散液法によらずに、基板上へ銅層を析出させる方法を提供する。【解決手段】ギ酸銅(II)と、次式I:R1-O-(CH2)n-CHR2-NH2(但し、R1はメチル又はエチルであり、R2は水素又はメチルであり、nは1、2、3又は4である)で表されるアルコキシアルキルアミンとからなる混合生成物を、80〜200°C及び0.1〜5barで基材に接触させることにより、基材上に銅層を析出させる。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
基材上に銅層を析出する方法であって、
上記基材に、ギ酸銅(II)と、次式I:
R1-O-(CH2)n-CHR2-NH2
(但し、R1はメチル又はエチルであり、R2は水素又はメチルであり、nは1、2、3又は4である)
で表されるアルコキシアルキルアミンとからなる混合生成物を、80〜200°C及び0.1〜5barで接触させることを特徴とする方法。
IPC (3件):
C23C18/08
, C09D1/00
, C09K3/16
FI (3件):
C23C18/08
, C09D1/00
, C09K3/16 101C
Fターム (16件):
4J038AA011
, 4J038HA061
, 4J038JA47
, 4J038JB08
, 4J038KA06
, 4J038NA20
, 4K022AA03
, 4K022AA05
, 4K022AA13
, 4K022AA32
, 4K022AA35
, 4K022AA41
, 4K022BA08
, 4K022DA06
, 4K022DB04
, 4K022EA01
引用特許:
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