特許
J-GLOBAL ID:200903064604933467

基材上の銅層の析出

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 江藤 聡明
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-164244
公開番号(公開出願番号):特開2005-002471
出願日: 2004年06月02日
公開日(公表日): 2005年01月06日
要約:
【課題】無電解めっき法や金属微粒子を含む分散液法によらずに、基板上へ銅層を析出させる方法を提供する。【解決手段】ギ酸銅(II)と、次式I:R1-O-(CH2)n-CHR2-NH2(但し、R1はメチル又はエチルであり、R2は水素又はメチルであり、nは1、2、3又は4である)で表されるアルコキシアルキルアミンとからなる混合生成物を、80〜200°C及び0.1〜5barで基材に接触させることにより、基材上に銅層を析出させる。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
基材上に銅層を析出する方法であって、 上記基材に、ギ酸銅(II)と、次式I: R1-O-(CH2)n-CHR2-NH2 (但し、R1はメチル又はエチルであり、R2は水素又はメチルであり、nは1、2、3又は4である) で表されるアルコキシアルキルアミンとからなる混合生成物を、80〜200°C及び0.1〜5barで接触させることを特徴とする方法。
IPC (3件):
C23C18/08 ,  C09D1/00 ,  C09K3/16
FI (3件):
C23C18/08 ,  C09D1/00 ,  C09K3/16 101C
Fターム (16件):
4J038AA011 ,  4J038HA061 ,  4J038JA47 ,  4J038JB08 ,  4J038KA06 ,  4J038NA20 ,  4K022AA03 ,  4K022AA05 ,  4K022AA13 ,  4K022AA32 ,  4K022AA35 ,  4K022AA41 ,  4K022BA08 ,  4K022DA06 ,  4K022DB04 ,  4K022EA01
引用特許:
出願人引用 (1件)
  • WO-A-97/33713

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