特許

J-GLOBAL ID：200903064607113185

光導波路及びその製造方法並びに光デバイス

発明者： 井本 克之
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-073767
公開番号（公開出願番号）：特開平10-319263
出願日： 1997年03月26日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：

【要約】【課題】 シングルモード光ファイバとモードフィールド整合のとりやすい光導波路及びその製造方法並びに光デバイスを提供する。【解決手段】 基板1と、その基板1上に形成されSiO2 からなるクラッド層2と、そのクラッド層2の中に形成されSiO2 に屈折率制御用添加剤を少なくとも一種類含んだコア層3とを備えた光導波路において、コア層3を、フッ素が添加されたSiO2 からなる中間層9で覆うことにより、1000°Cから1200°Cの高温加熱処理を施しても屈折率及びフッ素濃度分布がほとんど変化せず、安定なため、高い比屈折率差が得られる。また、光導波路8の入出力端に光ファイバ5とのモードフィールド整合をとるためのモード変換部を設けることができるので、光ファイバ5と低損失で接続することができ、接続部からの反射光を極端に小さくすることができる。

請求項（抜粋）：

基板と、その基板上に形成されSiO2 からなるクラッド層と、そのクラッド層の中に形成されSiO2 に屈折率制御用添加剤を少なくとも一種類含んだコア層とを備えた光導波路において、上記コア層がフッ素を添加した SiO2 からなる中間層で覆われたことを特徴とする光導波路。

IPC (4件)：

G02B 6/13 ,  G02B 6/30 ,  H01L 31/0232 ,  H01S 3/00

FI (4件)：

G02B 6/12 M ,  G02B 6/30 ,  H01S 3/00 B ,  H01L 31/02 C