特許

J-GLOBAL ID：200903064608591650

半導体受光器及びその製造方法

発明者： 池田 睦夫 ,  赤津 祐史 ,  村本 好史 ,  幸前 篤郎 ,  植木 峰雄 ,  秦 進
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 吉田 精孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-048612
公開番号（公開出願番号）：特開平8-250760
出願日： 1995年03月08日
公開日（公表日）： 1996年09月27日
要約：

【要約】【目的】 暗電流が少なく信頼性の高い半導体受光器及びその製造方法を提供する。【構成】 半導体受光器を構成するpn接合のp型半導体層18をn-InP層15中に選択的に形成することにより、pn接合部分が直接、外部にさらされないようにしてpn接合部分へのダメージや汚染等を抑制し、これらが原因となって引き起こされる暗電流の増加を低減し、さらにpn接合の側面をn-InP層15によって囲まれた構造とすることにより信頼性を向上する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成されたpn接合を有する半導体受光器において、n型半導体中に選択的に形成され、p層の少なくとも3方向の側面がn型半導体で囲まれたことを特徴とする半導体受光器。

IPC (2件)：

H01L 31/10 ,  H01L 27/146

FI (2件)：

H01L 31/10 A ,  H01L 27/14 A

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-290269
  
• 特開昭63-283080
  
• 特開昭63-038269