特許

J-GLOBAL ID：200903064609367869

半導体基板に対するプラズマ表面処理装置

発明者： 田中 健司 ,  植本 良典
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 石井 暁夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-076392
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269149
出願日： 1999年03月19日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：

【要約】【課題】 コアチャンバー1内に送り込んだシリコンウエハー等の半導体基板8を、このコアチャンバー1にゲート弁3を介して接続したプラズマ処理ユニット2の表面処理室2a内に装填して、ここでプラズマによる表面処理を行うようにしたプラズマ表面処理装置において、この装置によって複数種類の表面処理を行う場合に設備が膨大になることを回避する。【解決手段】 前記プラズマ表面処理ユニット2を、これに当該プラズマ表面処理ユニットに対する処理用ガスの供給制御手段12を取り付けた状態で、前記コアチャンバー1から切り離できる構成にして、前記プラズマ表面処理ユニットの取り替えにより、一つのコアチャンバー1を使用して複数種類の表面処理ができるようにする。

請求項（抜粋）：

プラズマによる表面処理室を備えたプラズマ処理ユニットの少なくとも一つと、このプラズマ処理ユニットをゲート弁を介して接続したコアチャンバーと、前記コアチャンバーに送り込まれた半導体基板を一枚ずつ前記プラズマ処理ユニットにおける表面処理室に出し入れするようにしたハンドラーと、前記プラズマ処理ユニットに対する処理用ガスの供給制御手段とから成るプラズマ表面処理装置において、前記プラズマ表面処理ユニットを、これに当該プラズマ表面処理ユニットに対する処理用ガスの供給制御手段を取り付けた状態で、前記コアチャンバーから切り離できるように構成したことを特徴とする半導体基板に対するプラズマ表面処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 14/56 ,  H01L 21/3065 ,  H05H 1/46

FI (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 14/56 Z ,  H05H 1/46 A ,  H01L 21/302 B

Fターム (25件)：

4K029AA06 ,  4K029BD01 ,  4K029DA02 ,  4K029DA06 ,  4K029DC35 ,  4K029DC48 ,  4K029KA01 ,  5F004AA16 ,  5F004BB13 ,  5F004BB14 ,  5F004BB18 ,  5F004BC06 ,  5F004BC08 ,  5F004CA09 ,  5F045AA08 ,  5F045AA09 ,  5F045AF03 ,  5F045BB10 ,  5F045DQ17 ,  5F045EB02 ,  5F045EB09 ,  5F045EC07 ,  5F045EE01 ,  5F045EN04 ,  5F045HA24