薄膜太陽電池の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山口巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-220809
公開番号（公開出願番号）：特開平5-063224
出願日： 1991年09月02日
公開日（公表日）： 1993年03月12日
要約：

【要約】【目的】CuInSe2 薄膜層を用いた太陽電池では短絡電流は大きいが開放電圧が低く、Cu (In1-x Gax ) Se2 薄膜層を用いた太陽電池では開放電圧は向上するが短絡電流は減少するという問題を解決する。【構成】表面に金属電極層を有する基板上にCuInSe2 層およびCu (In1-x Gax ) Se2 層を基板温度を変えて順次積層し、その上にCd(Zn)S層を積層してpn接合を形成する。これにより適正な光電変換層内のバンドプロファイルが得られる。そして、両薄膜層を総計してCu/ (In+Ga) 比が0.8〜1.0 であり、またCuInSe2 層の膜厚がCu (In1-x Gax ) Se2 層の膜厚の1.5 〜2倍とすることが望ましい。

請求項（抜粋）：

少なくとも表面が導電性電極層である基板の電極層の上に基板をそれぞれ所定の温度に保持してCuInSe2 層およびCu (In1-x Gax ) Se2 層を順次積層し、さらにその上にCd(Zn)S層および透明電極層を順次積層することを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。

前のページに戻る