特許

J-GLOBAL ID：200903064618464320

半導体加速度センサの製造方法

発明者： 新荻 正隆 ,  斉藤 豊 ,  加藤 健二
出願人/特許権者： 株式会社エスアイアイ・アールディセンター
代理人 (1件)： 林 敬之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-035313
公開番号（公開出願番号）：特開平10-004199
出願日： 1997年02月19日
公開日（公表日）： 1998年01月06日
要約：

【要約】【課題】 ウェハー1枚あたり多数の半導体加速度センサーを製造する方法を提供する。【解決手段】 1枚の半導体ウェハーから多数のセンサを製造するために、センサの側面に拡散抵抗を配置した。そして、このようにセンサ側面に変位量の検出手段を設ける構成で、エッチング工程を使用せず、ダイシングを用いる製造方法で、半導体ウェハーの固定に冷凍する手段を用いることにより高精度のセンサを提供することができるようにした。

請求項（抜粋）：

半導体ウェハーの表面に感歪部を形成する工程、前記半導体ウェハーを冷却した冷却台に固定する工程、前記半導体ウェハーから感歪部を有する直方体の構造体を切り出す工程、支持体と前記半導体ウェハーより切り出した直方体の構造体を接合する工程、からなる半導体加速度センサの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/84 ,  G01P 15/12 ,  H01L 21/301

FI (4件)：

H01L 29/84 A ,  G01P 15/12 ,  H01L 21/78 M ,  H01L 21/78 N