特許
J-GLOBAL ID：200903064626122039

有機薄膜トランジスタ及びその作製方法、並びに有機薄膜トランジスタを有する半導体装置

発明者：
平形 吉晴

平形 吉晴 について

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石谷 哲二

石谷 哲二 について

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深井 修次

深井 修次 について

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今林 良太

今林 良太 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-284511
公開番号（公開出願番号）：特開2004-080026
出願日： 2003年07月31日
公開日（公表日）： 2004年03月11日
要約：
【課題】有機薄膜トランジスタの作製方法では専用の装置が必要なこと、材料の使用量に対して形成される有機半導体膜がわずかであり、殆どが破棄されてしまう問題があった。更に、無駄に破棄される材料の汚れを除去するために、装置やチャンバー内の掃除といった装置メンテナンスを頻繁に実施する必要があった。従って材料にかかるコストや装置メンテナンスの手間だけでも多大な費用や工数が必要となっていた。【解決手段】本発明は、有機半導体膜を形成する第1の基板と、注入するために用いる第2の基板と、特定の場所に形成された絶縁膜とにより基板間に間隙を形成し、この間隙に対する毛細管現象により有機半導体膜材料を注入して均一な有機半導体膜を作製する。このような特定の場所に形成された絶縁膜により、制御よく有機半導体膜を形成することがでる。更に上述したように、絶縁膜は基板間の間隙、すなわち間隔を保持するスペーサを兼ねることができる。【選択図】 図7
請求項（抜粋）：
絶縁表面を有する第1の基板上に第1の導電膜を形成し、 前記第1の導電膜上に第1の絶縁膜を形成し、 前記第1の絶縁膜上に一対の第2の導電膜を形成し、 前記一対の導電膜上に第2の絶縁膜を形成し、 前記第1の導電膜上の前記第2の絶縁膜に開口部を形成し、 前記第1の基板に第2の基板を重ね合わせ、 前記開口部に有機材料と溶媒とを含む溶液を注入することを特徴とする有機薄膜トランジスタの作製方法。
IPC (3件)：
H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L51/00
FI (3件)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/28
Fターム (40件)：
5F110AA01 ,  5F110AA05 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE38 ,  5F110EE42 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG05 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG41 ,  5F110GG57 ,  5F110HK01 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32 ,  5F110NN02 ,  5F110NN22 ,  5F110NN24 ,  5F110NN71 ,  5F110QQ19
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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