特許
J-GLOBAL ID：200903064626544570
半導体製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-192292
公開番号（公開出願番号）：特開平5-036673
出願日： 1991年07月31日
公開日（公表日）： 1993年02月12日
要約：
【要約】【目的】この発明はシランガスと酸素との混合により誘発される爆発反応を防止できる半導体製造装置を提供することを目的とする。【構成】シランガスボンベ11からのシランガスは、導入管13を介して絶縁薄膜形成装置14に供給され、この絶縁薄膜形成装置14のガスは真空ポンプ16で吸引して排管17を介してガス処理装置18に導かれ、処理されたガスは排気ダクト19を介して排出される。排管17には、分岐バルブ23を介して酸素濃度検出器24を設け、シランガスの供給前にバルブ23を開いて排管17内の酸素濃度を検出し、酸素濃度が0.8%を越える状態のときには、薄膜形成装置14に対するシランガスの供給を停止するようにしている。
請求項（抜粋）：
半導体基板に薄膜を形成するためのシランガスを貯蔵するガス貯蔵源と、このガス貯蔵源からの出力シランガスが供給される半導体用絶縁膜形成手段と、この絶縁膜形成手段からの排出ガスが吸引して導かれる排管と、この排管を介して導かれたガスを処理し排気管から排出させるガス処理手段と、前記配管に設けられ、この排管内に流れるガス中の酸素濃度を検出する酸素濃度検出手段とを具備し、この酸素濃度検出手段では、前記排管中に流れるガスに含まれる酸素濃度が所定値を越える状態を検出するようにしたことを特徴とする半導体製造装置。
IPC (3件)：
H01L 21/31
, C30B 25/14
, H01L 21/316
