特許

J-GLOBAL ID：200903064627104158

高融点金属皮膜の形態を改善する方法

発明者： ラッセル・ディー・アレン ,  エフ・リード・マクフィーリー ,  チェヴデト・アイ・ノヤン ,  ジョン・ジェイ・ユルカス
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 坂口 博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-298824
公開番号（公開出願番号）：特開2000-129447
出願日： 1999年10月20日
公開日（公表日）： 2000年05月09日
要約：

【要約】【課題】 表面の平滑な高融点金属薄膜の形成方法を得る。【解決手段】 基板をCVD反応装置中におく。前駆体ガスとしてのタングステンヘキサカルボニルと酸素ガスを同時にCVD反応装置中に導入し、酸素の圧力を1×10-6〜1×10-4トルの範囲として、α相とβ相を有する2相のタングステン層を、およそ500°Cで付着する。付着の終了後、この2相のタングステン層を付着温度(500°C)でアニールし、β相をα相に相変換させる。この相変換により、平滑な表面を有するタングステンの薄膜を得ることができる。

請求項（抜粋）：

基板をCVD反応装置中に置くステップと、前駆体ガスと分子状酸素を、後者の圧力を約1×10-6から1×10-4トルの範囲として同時に前記CVD反応装置中に導入して、2相材料の層の付着を開始するステップと、前記層を付着温度でアニールするステップとを含む、高融点金属材料の皮膜を形成する方法。

IPC (2件)：

C23C 16/56 ,  C23C 14/58

FI (2件)：

C23C 16/56 ,  C23C 14/58 A