特許

J-GLOBAL ID：200903064627292337

高圧トランス及びその製造方法

発明者： 寺口 弘之
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-261979
公開番号（公開出願番号）：特開2003-068548
出願日： 2001年08月30日
公開日（公表日）： 2003年03月07日
要約：

【要約】【課題】 絶縁用樹脂とケースとの接着性を高める。【解決手段】 二次巻線が施されている高圧ボビン及び一次巻線が施されている低圧ボビンがケース内に収納され、高圧ボビン及び低圧ボビンとケースとの間に絶縁樹脂が注入されてなるフライバックトランスであって、ケースの内壁面に酸素プラズマが吹き付けられている。

請求項（抜粋）：

二次巻線が施されている高圧ボビン及び一次巻線が施されている低圧ボビンがケース内に収納され、高圧ボビン及び低圧ボビンとケースとの間に絶縁樹脂が注入されてなる高圧トランスであって、ケースの内壁面に酸素プラズマが吹き付けられていることを特徴とする高圧トランス。

IPC (3件)：

H01F 38/42 ,  H01F 27/02 ,  H01F 41/00

FI (5件)：

H01F 27/02 Z ,  H01F 41/00 B ,  H01F 19/04 C ,  H01F 19/04 Q ,  H01F 15/02 R

Fターム (6件)：

5E059BB02 ,  5E059BB30 ,  5E070AA13 ,  5E070DA02 ,  5E070DA11 ,  5E070FC01