特許

J-GLOBAL ID：200903064629022680

半導体発光素子駆動回路

発明者： 中村 博之
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 丸島 儀一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-288848
公開番号（公開出願番号）：特開平6-140700
出願日： 1992年10月27日
公開日（公表日）： 1994年05月20日
要約：

【要約】【目的】 レーザプリンタ等の高速でオン/オフされる半導体発光素子13を定電流駆動するための集積回路において、当該集積回路と半導体発光素子13の間のインダクタンスによる悪影響を防止し、かつ集積回路内の定電流発生のための半導体素子37、39の温度特性による影響を低減する。【構成】 前記定電流発生のため半導体素子(特にP-MOS-FET等)37、39の近傍にPN接合部26を形成し、PN接合部26の電圧に応じて出力すべき電流を制御する。

請求項（抜粋）：

定電流を供給するための半導体素子と、該半導体素子の近傍に形成されるPN結合部と、該PN結合部に生じる電圧に基づいて、発生すべき電流を増減制御する制御部とを有することを特徴とする定電流発生集積回路。

IPC (4件)：

H01S 3/096 ,  H01L 27/15 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平1-243487
  
• 特開昭55-001147
  
• 特開平1-110786
  
• 特開平2-292882