特許

J-GLOBAL ID：200903064632054517

半導体装置及びコンタクトホールの形成方法

発明者： 駒井 正嗣
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社
代理人 (1件)： 井内 龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-253453
公開番号（公開出願番号）：特開平9-097770
出願日： 1995年09月29日
公開日（公表日）： 1997年04月08日
要約：

【要約】【課題】 コンタクトホール15a、15bの径13b ́、13c ́を統一したとしてもSiO2 膜32の膜厚A、Bが均一でない場合はその必要エッチング時間が異なり、コンタクトホール15a、15bの形成箇所によってオーバーエッチングとなったりエッチングが不充分となったりするため、全てのコンタクトホールを略同一のエッチング時間で十分にしかも適切に形成することが困難である。【解決手段】 絶縁膜としてのSiO2 膜32にコンタクトホール15a、15bが形成された半導体装置において、SiO2 膜32の膜厚A、Bに対応してコンタクトホール15a、15bの径13b ́、13c ́を設定すること。

請求項（抜粋）：

絶縁膜としてのSiO2 膜に、該SiO2 膜の厚みに応じて径の異なるコンタクトホールが形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/28 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/768

FI (4件)：

H01L 21/28 L ,  H01L 21/302 M ,  H01L 21/90 C ,  H01L 21/90 A

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平4-099358