特許

J-GLOBAL ID：200903064636758802

薄膜多層回路とその製造方法

発明者： 松崎 永二 ,  池田 省二 ,  赤松 史郎 ,  櫻井 顕子 ,  松山 治彦
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 高橋 明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-099013
公開番号（公開出願番号）：特開平6-310857
出願日： 1993年04月26日
公開日（公表日）： 1994年11月04日
要約：

【要約】【目的】 薄膜多層基板の上層と下層配線間の接続信頼性を向上し、同時にビア部表面の凹凸を低減してビアを層間絶縁層の膜厚増大によらず微細化する。【構成】 薄膜多層基板の上層と下層配線を接続するビアを2層以上の多層構造とし、各ビア層の形状を上層ほど小さい階段状に形成して層間絶縁層の表面を平坦化する。また、各ビア層の形成毎にその表面を逆スパッタリング等により清浄化して次ぎのビア層を形成するようにして下層と上層配線間のビア接続の信頼性を向上する。

請求項（抜粋）：

ビアにより下層配線と上層配線間の接続を行う薄膜多層回路において、上記ビアを少なくとも2層以上の導体層(ビア層)を積層した構造とし、さらに上記各ビア層の断面積を上層配線に近いほど小さくして上記ビアの断面形状を階段状にしたことを特徴とする薄膜多層回路。

IPC (3件)：

H05K 3/46 ,  H05K 3/24 ,  H05K 3/40