特許
J-GLOBAL ID：200903064637345161

光電変換素子実装用セラミックス基板

発明者：
佐藤 正博

佐藤 正博 について

, 
吉田 浩之

吉田 浩之 について


出願人/特許権者：
松下電工株式会社

松下電工株式会社 について


代理人 (2件)： 西川 惠清 ,  森 厚夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-425042
公開番号（公開出願番号）：特開2005-179147
出願日： 2003年12月22日
公開日（公表日）： 2005年07月07日
要約：
【課題】導体配線との間の充分な密着強度を確保しつつ、光電変換素子から発せられる光を高効率に反射して発光効率を向上することができる光電変換素子実装用セラミックス基板を提供する。【解決手段】光電変換素子実装用セラミックス基板1は、アルミナ、シリカ及びマグネシアを含有し、且つシリカ含有量が0.1〜1質量%、マグネシア含有量が0.01〜0.5質量%である高反射率相2を有する。この高反射率相2は高い光反射率を有すると共に、表面に金属膜を形成した場合にこの金属膜との間に高いピール強度を有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
アルミナ、シリカ及びマグネシアを含有し、且つシリカ含有量が0.1〜1質量%、マグネシア含有量が0.01〜0.5質量%である高反射率相を有することを特徴とする光電変換素子実装用セラミックス基板。
IPC (3件)：
C04B35/111 ,  C04B41/91 ,  H01L33/00
FI (3件)：
C04B35/10 D ,  C04B41/91 B ,  H01L33/00 N
Fターム (19件)：
4G030AA07 ,  4G030AA36 ,  4G030AA37 ,  4G030BA12 ,  4G030CA04 ,  4G030CA07 ,  4G030GA09 ,  4G030GA11 ,  4G030GA21 ,  4G030GA32 ,  5F041AA03 ,  5F041AA21 ,  5F041AA33 ,  5F041CA12 ,  5F041DA19 ,  5F041DA34 ,  5F041DA35 ,  5F041DA36 ,  5F041DA39
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (6件)
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