特許
J-GLOBAL ID：200903064638355322
半導体集積回路装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-305667
公開番号（公開出願番号）：特開平5-121650
出願日： 1991年10月25日
公開日（公表日）： 1993年05月18日
要約：
【要約】【目的】 電源配線の抵抗や電流による電圧降下を少なくし、しかも特定箇所の回路性能を低下さることなく、基板上の内部回路搭載面積を大きくとれるようにする。【構成】 電源電圧変換回路4の出力電圧を集積回路内の内部回路5の電源電圧として用いる集積回路装置において、基準電圧発生回路2を、集積回路を含む基板1上の特定領域に配置し、その出力電圧Vref を参照するドライバ回路3を当該集積回路内に分散配置する。そして、基準電圧発生回路2の個数をドライバ回路3の個数より少なくして、内部回路5に外部供給電圧より低い内部電圧を供給する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、基準電圧発生回路、および出力電圧の変動を検出し、その検出電圧と前記基準電圧発生回路の出力電圧を比較増幅して出力制御素子へ負帰還をかける回路を備えたドライバ回路からなる電源電圧変換回路を搭載し、この電源電圧変換回路の出力電圧を当該半導体集積回路の内部回路の電源電圧として用いる集積回路装置において、前記基準電圧発生回路を半導体基板上の1つまたは複数の限定された領域に配置するとともに、前記ドライブ回路を複数個基板上の任意の場所に分散配置する構成とし、かつ前記基準電圧発生回路の個数を前記ドライバ回路の個数より少なくしたことを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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