特許
J-GLOBAL ID：200903064640284939
半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-042270
公開番号（公開出願番号）：特開2001-236787
出願日： 2000年02月21日
公開日（公表日）： 2001年08月31日
要約：
【要約】【課題】 低消費電力仕様または低電圧動作仕様等、必要仕様にあわせ回路を設定する。そのため、複数の必要仕様に対する両立が困難、かつ、複数の必要仕様にあわせ、複数の半導体記憶装置をつくらねばならなかった。【解決手段】 異なるプリチャージ電位を発生する複数のプリチャージ電圧発生回路、前述の複数のプリチャージ電圧発生回路より任意の電位を選択しプリチャージ回路へ接続する選択回路を設置することにより、低電圧動作や低消費電力など必要動作モードにあわせプリチャージ電位を切り替え、半導体記憶装置を実現し、かつ、複数の半導体記憶装置を準備することなく、1種の半導体記憶装置でプリチャージ電位を切り替えることにより、必要仕様にあった、半導体記憶装置を提供可能とする。
請求項（抜粋）：
複数の記憶素子からなるメモリーセルと、前記メモリーセルを選択するデコーダ回路と、前記メモリーセルの記憶データを書込み及び読出しを行う書込み/読出し回路と、前記メモリーセルと前記書込み/読出し回路とを結ぶビット線/反転ビット線と、前記ビット線/反転ビット線をプリチャージするプリチャージ回路とを備えた半導体記憶装置において、プリチャージ電圧発生回路が、少なくとも2種以上の異なるプリチャージ電位を発生する複数のプリチャージ電圧発生回路からなり、前記複数のプリチャージ電圧発生回路より任意の電位を選択しプリチャージ回路へ接続することを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G11C 11/34 M
, G11C 11/34 353 F
5B015HH01
, 5B015HH03
, 5B015JJ02
, 5B015JJ03
, 5B015KA33
, 5B015KB63
, 5B015KB64
, 5B024AA01
, 5B024BA07
, 5B024BA27
, 5B024CA13
