特許

J-GLOBAL ID：200903064643369897

絶縁体薄膜と酸化物超電導薄膜との積層膜

発明者： 徳田 人基 ,  飯山 道朝
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 越場 隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-207112
公開番号（公開出願番号）：特開平7-045880
出願日： 1993年07月29日
公開日（公表日）： 1995年02月14日
要約：

【要約】【目的】 酸化物超電導薄膜とその上積層された絶縁体の薄膜を備える積層膜において、上層の絶縁体薄膜の一部を選択的に除去しても新たに露出した酸化物超電導薄膜の表面が接触抵抗の増大を起こさない。【構成】 Y<SB>1</SB>Ba<SB>2</SB>Cu<SB>3</SB>O<SB>7-X</SB>酸化物超電導薄膜とその上に積層された少なくとも一部が、(Ba<SB>y</SB>Sr<SB>1-y</SB>)TiO<SB>3</SB>(ただし、0<y≦1)で構成されている絶縁体薄膜を備える。

請求項（抜粋）：

基板上に成膜された酸化物超電導薄膜と、該酸化物超電導薄膜上の少なくとも一部に成膜された、該酸化物超電導薄膜を構成する酸化物超電導体の酸素以外の構成元素の少なくとも1種のものを含む絶縁体薄膜とを有することを特徴とする積層膜。

IPC (8件)：

H01L 39/24 ZAA ,  C01G 1/00 ,  C01G 3/00 ZAA ,  C01G 23/00 ,  C23C 14/08 ZAA ,  H01B 3/12 326 ,  H01B 17/00 ,  H01L 39/22 ZAA