特許
J-GLOBAL ID:200903064646469809

4-ヒドロキシビフェニル誘導体の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 羽鳥 修
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-291501
公開番号(公開出願番号):特開2001-240586
出願日: 2000年09月26日
公開日(公表日): 2001年09月04日
要約:
【要約】 (修正有)【課題】 安全かつ低コストの4-ヒドロキシビフェニル誘導体の製造方法を提供する。【解決手段】 一般式(1)で表される4-ヒドロキシビフェニル誘導体の製造方法であって、第一工程として、塩基の存在下、一般式(2)で表される2,6-置換フェノール誘導体と、一般式(3)で表されるハロゲン化ベンゼン誘導体とをカップリング反応させて、下記一般式(4)で表される中間体を得た後、第二工程として、酸発生物質の存在下、該中間体化合物の置換基R4 及びR5を脱離させることにより、一般式(1)で表される化合物を製造する。(式中、R1,R2,R3は水素原子、フッ素原子、炭化水素、ニトロ基、シアノ基、アルデヒド基またはアルカノイル基を、R4,R5はアルキル基、アルケニル基、アラルキル基またはシクロアルキル基を、Xはハロゲン原子を表す)
請求項(抜粋):
下記一般式(1)で表される4-ヒドロキシビフェニル誘導体の製造方法であって、第一工程として、塩基の存在下、下記一般式(2)で表される2,6-置換フェノール誘導体と、下記一般式(3)で表されるハロゲン化ベンゼン誘導体とをカップリング反応させて、下記一般式(4)で表される中間体を得た後、第二工程として、酸発生物質の存在下、該中間体化合物の置換基R4 及びR5を脱離させることにより、上記一般式(1)で表される化合物を得ることを特徴とする4-ヒドロキシビフェニル誘導体の製造方法。【化1】(式中、R1 、R2 、R3 は、同一でも異なってもよく、水素原子、フッ素原子、R’が水素原子或いは炭素原子数1〜12の炭化水素である-CH2 -R’、ニトロ基、シアノ基、アルデヒド基又はR”が炭素原子数1〜12の炭化水素基である-CO-R”基を表す)【化2】(式中、R4 、R5 は、同一でも異なってもよく、炭素数3〜10の二級又は三級のアルキル基、炭素数4〜10の二級又は三級のアルケニル基、炭素数8〜18のアラルキル基、炭素数3〜10のシクロアルキル基を表す)【化3】(式中、Xは、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を表す)【化4】
IPC (5件):
C07C253/30 ,  C07C 37/50 ,  C07C 39/15 ,  C07C255/53 ,  C07B 61/00 300
FI (5件):
C07C253/30 ,  C07C 37/50 ,  C07C 39/15 ,  C07C255/53 ,  C07B 61/00 300
Fターム (14件):
4H006AA01 ,  4H006AC24 ,  4H006AC26 ,  4H006BA66 ,  4H006BA67 ,  4H006BA69 ,  4H006BD70 ,  4H006FC52 ,  4H006FE13 ,  4H006QN30 ,  4H039CA41 ,  4H039CD10 ,  4H039CD20 ,  4H039CG50
引用特許:
出願人引用 (1件)
引用文献:
出願人引用 (4件)
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