特許

J-GLOBAL ID：200903064648136440

磁気記憶装置

発明者： 土山 龍司 ,  三枝 省三
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-067585
公開番号（公開出願番号）：特開平8-273318
出願日： 1995年03月27日
公開日（公表日）： 1996年10月18日
要約：

【要約】【目的】コンタクトスライダのスペ-シング変動を低減し、コンタクト面が記録媒体面で安定な追従接触走行可能となる、媒体面うねり波長L(μm)、うねり振幅u0(nm)、走行方向のコンタクト面長さb(mm)、押付荷重F(gf)、周速v(m/s)の最適値及び高記録密度化、高信頼性化に優れた磁気記憶装置を提供する。【構成】fをうねり周波数(f=v/L)と表わし、u0、f、F、bを下記式の関係を満たすように設定する。【数4】

請求項（抜粋）：

磁気トランスデュ-サを搭載し、周速v(m/s)で走行する磁気記録媒体面に、追従接触走行するコンタクトスライダを備える磁気記憶装置において、前記コンタクトスライダの磁気記録媒体面との接触部の走行方向の接触面の長さをb(mm)、前記コンタクトスライダを磁気記録媒体に押し付け可能に支持する支持体の押し付け荷重をF(gf)、前記磁気記録媒体面のうねり波長をL(μm)、うねり振幅をu0(nm)とした時、前記周速v、長さb、押し付け荷重F、うねり波長L及びうねり振幅をu0を下記式を満たすように設定したことを特徴とする磁気記憶装置。ただし、fはうねり周波数(f=v/L)を表わす。【数1】

IPC (2件)：

G11B 21/21 ,  G11B 5/60

FI (2件)：

G11B 21/21 Z ,  G11B 5/60 Z