特許

J-GLOBAL ID：200903064651172237

半導体受光素子

発明者： 日向寺 雅彦
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-343199
公開番号（公開出願番号）：特開平5-175540
出願日： 1991年12月25日
公開日（公表日）： 1993年07月13日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 価電子帯の不連続に起因する正孔のパイルアップを簡便な方法で低減することができ、周波数特性のすぐれた半導体受光素子を提供する。【構成】 積層構造を有する半導体受光素子において、第一の半導体層3と第二の半導体層4の界面近傍に第一の半導体層3のキャリア濃度が高濃度化された領域7aと、第二の半導体層4のキャリア濃度が低濃度化された領域7bとを有し、第二の半導体層4と第三の半導体層5の界面近傍に第二の半導体層4のキャリア濃度が高濃度化された領域8aと、第三の半導体層5のキャリア濃度が低濃度化された領域8bとを有する。

請求項（抜粋）：

半導体結晶基板上に、少なくともバンドギャップEg1を有する第一の半導体層と、Eg2>Eg1なるバンドギャップEg2を有する第二の半導体層と、Eg3>Eg2なるバンドギャップEg3を有する第三の半導体層よりなる積層構造を有する半導体受光素子において、前記第一の半導体層と前記第二の半導体層の界面近傍に前記第一の半導体層のキャリア濃度が高濃度化された領域と、前記第二の半導体層のキャリア濃度が低濃度化された領域とを有し、前記第二の半導体層と前記第三の半導体層の界面近傍に前記第二の半導体層のキャリア濃度が高濃度化された領域と、前記第三の半導体層のキャリア濃度が低濃度化された領域とを有することを特徴とする半導体受光素子。