特許

J-GLOBAL ID：200903064654827587

化合物半導体装置

発明者： 富岡 健 ,  馬場 靖男 ,  石井 和明 ,  遠藤 浩 ,  沓澤 京子
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-024918
公開番号（公開出願番号）：特開平5-251460
出願日： 1992年02月12日
公開日（公表日）： 1993年09月28日
要約：

【要約】【目的】 化合物半導体装置に関し、GaAs,AlGaAs等のエピタキシャル層にBe等の原子半径が小さいp型不純物を高濃度で添加する場合、製造中あるいは通電動作中にp型不純物が拡散するのを防止する。【構成】 GaAsあるいはAlGaAs半導体層中に、この半導体層を形成するGaあるいはAlより原子半径が小さいBe等のp型不純物が、この不純物の拡散が急激に増加する程度の高い濃度で添加された領域と、これに隣接するn型不純物が添加された領域からなるp-n接合を有する化合物半導体装置において、このp-n接合界面の近傍の薄い領域のみにIn,Sb等のこの半導体層を形成するGaあるいはAlより原子半径が大きい原子を添加して格子定数の差によって生じた応力のある状態で、このp型不純物の拡散を抑制する。

請求項（抜粋）：

GaAsあるいはAlGaAs半導体層中に、該半導体層を形成するGaあるいはAlより原子半径が小さいp型不純物が、該不純物の拡散係数を急激に増加させる程度の濃度で添加された領域と、これに隣接するn型不純物が添加された領域からなるp-n接合を有し、該p-n接合界面の近傍領域のみに、GaあるいはAlより原子半径が大きい原子が、該p型不純物の拡散を抑制しうる濃度で添加されていることを特徴とする化合物半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/205

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-248524
  
• 特開平2-000364
  
• 特開平3-229426