薄膜の除去方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：泉名謙治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-119155
公開番号（公開出願番号）：特開平7-324176
出願日： 1994年05月31日
公開日（公表日）： 1995年12月12日
要約：

【要約】【構成】半導体ウェハー等の基材上に形成された含フッ素脂肪族環構造を有する重合体からなる保護膜などの薄膜を過酸化水素含有酸化性水溶液等により除去する薄膜の除去方法。【効果】保護膜などの薄膜を短時間で効率よく、基材にダメージを与えずに剥離除去することが可能であり、特に半導体ウェハー製造工程または加工工程における保護膜除去方法として有用である。

請求項（抜粋）：