特許
J-GLOBAL ID：200903064656894230
半導体集積回路の配線構造体及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小杉 佳男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-054137
公開番号（公開出願番号）：特開平6-333927
出願日： 1994年03月24日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：
【要約】【目的】 低抵抗で高い耐エレクトロマイグレーション性を有すると共に、絶縁膜や基板への配線材料の原子の拡散を防止する半導体集積回路の配線構造体及びその製造方法を提供する。【構成】 シリコン基板10の上に絶縁膜12を形成し、この絶縁膜12の上にタングステン膜14を形成した。さらにこのタングステン膜14の表面にプラズマ照射して非晶質W-N膜16を形成し、この非晶質W-N膜16の上に銅配線20を形成した。
請求項（抜粋）：
Cu,Cu合金,Au,Au合金,Ag,Ag合金,およびAl-Cu合金から選ばれた金属からなる配線を備えた半導体集積回路の配線構造体において、窒化物、硼化物、及び炭化物から選ばれた金属化合物膜と金属膜とを重ねた少なくとも1つの積層からなるバリア層を、前記配線の下地及び/又は被覆として備えたことを特徴とする半導体集積回路の配線構造体。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/203
H01L 21/88 R
, H01L 21/88 M
