特許
J-GLOBAL ID：200903064658230267
有機金属気相成長装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長門 侃二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-092858
公開番号（公開出願番号）：特開平8-288226
出願日： 1995年04月18日
公開日（公表日）： 1996年11月01日
要約：
【要約】【目的】 界面の急峻性に優れたIII -V族化合物半導体の積層構造を成長させる有機金属気相成長装置を提供する。【構成】 この装置はランラインL1 とベントラインL2 とを備え、ランラインL1 とベントラインL2 の双方の所定個所には、それぞれを流れるガスの圧力を調整するための圧力調整バルブV1 ,V2 が配置され、圧力調整バルブV1 ,V2 の配置個所の下流側には、V族元素の原料ガスの供給機構A2 ’がランラインL1 とベントラインL2 とを結ぶ流路切換え機構Bを介して配置され、かつ、圧力調整バルブV1 ,V2 の配置個所の上流側には、III 族元素の原料ガスおよび/またはドーピングガスの供給機構A1 ’がランラインL1 とベントラインL2とを結ぶ流路切換え機構Bを介して配置されている。
請求項（抜粋）：
反応炉へのガスの供給経路として機能するランラインと前記ガスの排気経路として機能するベントラインとを備え、III -V族化合物半導体から成る薄膜を形成する有機金属気相成長装置において、前記ランラインと前記ベントラインの双方の所定個所には、それぞれを流れるガスの圧力を調整するための圧力調整バルブが配置され、前記圧力調整バルブの配置個所の下流側には、V族元素の原料ガスの供給機構が前記ランラインと前記ベントラインとを結ぶ流路切換え機構を介して配置され、かつ、前記圧力調整バルブの配置個所の上流側には、III 族元素の原料ガスおよび/またはドーピングガスの供給機構が前記ランラインと前記ベントラインとを結ぶ流路切換え機構を介して配置されていることを特徴とする有機金属気相成長装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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