特許

J-GLOBAL ID：200903064659527875

可視光半導体レーザおよびその製造方法

発明者： 今本 浩史
出願人/特許権者： オムロン株式会社
代理人 (1件)： 牛久 健司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-073257
公開番号（公開出願番号）：特開平5-235475
出願日： 1992年02月25日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：

【要約】【目的】 AlGaInP屈折率導波型可視光半導体レーザの製造工程の簡略化,熱特性の向上,および安定した発光特性を得る。【構成】 基板1の上に下部クラッド層2,活性層3,キャリア閉じ込め層4,AlGaAsによりなる第1上部クラッド層5が形成され,さらにその上のストライプ溝状にはAlGaAsによりなる第2上部クラッド層11,キャップ層12が形成される。第1上部クラッド層5上のストライプ溝の両側は,GaAs光吸収層6によって埋められている。上記キャップ層12の上面および半導体基板下面にそれぞれオーミック電極40および41が形成されている。

請求項（抜粋）：

AlGaInP系屈折率導波型可視光半導体レーザにおいて,半導体基板上に活性層,AlGaInPキャリア閉じ込め層,AlGaAs第1クラッド層,GaAs電流ブロック層を順次成長させ,導波路を形成すべき部分についてGaAs電流ブロック層の一部を残してエッチングによりストライプ溝を形成し,分子線エピタキシ装置を用いて残余のGaAs電流ブロック層を蒸発させ,その後AlGaAs第2クラッド層を成長させる,可視光半導体レーザの製造方法。