太陽電池及びその製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鵜沼辰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-167496
公開番号（公開出願番号）：特開平10-012905
出願日： 1996年06月27日
公開日（公表日）： 1998年01月16日
要約：

【要約】【課題】高効率かつ低コストの太陽電池を提供する。【解決手段】太陽電池の、半導体基板、p型半導体層及びn型半導体層のうちの少なくとも1つをIII-V族混晶半導体に窒素を含有せしめた半導体を用いて形成する。これにより、基板に対して格子整合性が良く幅広い禁制帯幅を利用できる、高効率の太陽電池を実現できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、該半導体基板上に形成した少なくとも各1層ずつのp型半導体層とn型半導体層とを備えた太陽電池において、前記半導体基板、前記p型半導体層及び前記n型半導体層のうちの少なくとも1つをIII-V族混晶半導体に窒素を含有せしめた半導体を用いて形成したことを特徴とする太陽電池。

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