特許
J-GLOBAL ID：200903064669581509
半導体の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-048531
公開番号（公開出願番号）：特開平6-244103
出願日： 1993年02月15日
公開日（公表日）： 1994年09月02日
要約：
【要約】【目的】 実質的にアモルファス状態のシリコン膜をアモルファスシリコンの結晶化温度以下のアニールによって結晶化させる方法を提供する。【構成】 アモルファスシリコン膜上にニッケル、鉄、コバルト、白金の単体もしくはその珪化物等の触媒材料の被膜、粒子、クラスター等を形成し、これとアモルファスシリコンとの反応によって生じる物質のうち、前記触媒材料を含むものを除去し、残った結晶シリコンを核として結晶化を進展させ、結晶シリコン膜を得る。
請求項（抜粋）：
基板上に実質的にアモルファス状態のシリコン膜を形成する第1の工程と、前記シリコン膜上にニッケル、鉄、コバルト、白金のうち少なくとも1つを含有する触媒材料を形成する第2の工程と、前記アモルファスシリコンの表面と触媒材料を反応させる第3の工程と、前記工程後、触媒材料を除去する第4の工程と、前記工程後、基板をアモルファスシリコンの結晶化温度よりも低い温度でアニールする第5の工程と、を有することを特徴とする半導体の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/20
, H01L 21/324
, H01L 21/336
, H01L 29/784
