特許

J-GLOBAL ID：200903064670452003

硅素化合物膜およびその形成方法

発明者： 福山 俊一 ,  山口 城 ,  中田 義弘 ,  片山 倫子
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 石田 敬 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-062797
公開番号（公開出願番号）：特開平8-321499
出願日： 1996年03月19日
公開日（公表日）： 1996年12月03日
要約：

【要約】【課題】 半導体製造工程に用いられる熱処理工程で酸化や分解を生じず、吸湿性が低く、かつ、酸素プラズマ処理により酸化を受けることのない膜を形成することが可能であり、3.0以下の誘電率を実現できる材料を提供する。【解決手段】 下記一般式(1)、R1 x SiR24-x (1)〔上式中、R1 は炭素数1〜6のアルキル基を表し、R2 は水素原子または炭素数1〜3のアルコキシ基を表し、xは1〜3の整数である〕で表される有機シラン化合物とフッ素またはフッ素化合物とから誘導されたフッ素含有有機シラン化合物のガスを含む雰囲気中でプラズマCVDを行うことにより、フッ化炭素基含有硅素化合物からなり、3.0以下の誘電率を有する硅素化合物膜を得る。

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)、R1 x SiR24-x (1)〔上式中、R1 は炭素数1〜6のアルキル基を表し、R2 は水素原子または炭素数1〜3のアルコキシ基を表し、xは1〜3の整数である〕で表される有機シラン化合物とフッ素またはフッ素化合物とから誘導されたフッ素含有有機シラン化合物のガスを含む雰囲気中でプラズマCVDを行うことにより得られたフッ化炭素基含有硅素化合物からなり、3.0以下の誘電率を有する硅素化合物膜。

IPC (5件)：

H01L 21/314 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316

FI (5件)：

H01L 21/314 A ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/316 X ,  H01L 21/302 C