特許
J-GLOBAL ID：200903064677005266
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-103188
公開番号（公開出願番号）：特開平5-299607
出願日： 1992年04月22日
公開日（公表日）： 1993年11月12日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、下層導電体層と上層導電体層との間で微小リーク電流を発生させないように改良された、耐圧の良好な半導体装置を得ることを最も主要な特徴とする。【構成】 当該半導体装置は、コンタクト部6を有する半導体基板1を備える。半導体基板1の上に、下層導電体層のパターン4b,4cが設けられている。下層導電体層のパターン4b,4cの上には、第2の酸化膜22が設けられている。第2の酸化膜22の上には、酸化される前は低反射性を有し、かつ酸化後は絶縁性を有するようになる材料で形成されたバリア膜が形成されている。下層導電体層4b,4cと交差するように上層導電体層のパターン15が設けられている。下層導電体層のパターン4b,4cと上層導電体層のパターン15は、膜厚が十分に確保された第2の酸化膜22によって良好に絶縁分離されている。
請求項（抜粋）：
下層導電体層のパターンと上層導電体層のパターンが交差する部分の近傍にコンタクト部を有する半導体装置であって、コンタクト部を有する半導体基板と、前記半導体基板の上に設けられた前記下層導電体層のパターンと、を備え、前記下層導電体層のパターンは、前記半導体基板の上に第1の酸化膜を介在させて設けられた第1の導電体膜と、該第1の導電体膜の上に設けられた第2の酸化膜と、該第2の酸化膜の上に設けられ、酸化される前は低反射性および加工良好性を有し、かつ酸化後は難加工性および絶縁性を有するようになる材料で形成されたバリア膜と、からなり、当該装置は、さらに、前記半導体基板の上に、前記下層導電体層のパターンを覆うように設けられた層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜中に設けられ、前記コンタクト部を露出させるためのコンタクトホールと、前記半導体基板の上に前記下層導電体層のパターンと交叉するように設けられ、前記コンタクトホールを通じて、前記コンタクト部に接続された第2の導電体膜を含む前記上層導電体層のパターンと、を備える半導体装置。
IPC (2件)：
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