特許
J-GLOBAL ID:200903064678050621

半導体製造装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 渡邉 勇 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-285765
公開番号(公開出願番号):特開平7-122616
出願日: 1993年10月21日
公開日(公表日): 1995年05月12日
要約:
【要約】【目的】 半導体基板の保管からプロセス加工装置への搬送の間に粒子汚染或いは自然酸化膜の発生等の問題を生じることなく、且つ真空下でのプロセス加工を行うリードタイムを短縮することのできる半導体製造装置を提供する。【構成】 被保管物を真空中で保管する真空保管庫10と、真空下で処理が行なわれる真空プロセス装置と、大気圧下で処理が行なわれるプロセス装置3とが配置され、上記真空保管庫10の出口と真空プロセス装置の入口との間を、真空下で被搬送物を搬送できる真空トンネル搬送装置11で連結し且つ真空状態で連通し、上記大気圧下で処理が行なわれるプロセス装置3の出口と真空保管庫10入口の間をロードロック室を含む搬送装置で連結し、上記大気圧下の処理が終了した被保管物が上記ロードロック室で、真空雰囲気に置かれた後は、真空を破らずに上記真空保管庫10及び上記真空プロセス装置3へ保管/搬送される。
請求項(抜粋):
被保管物を真空中で保管する真空保管庫と、真空下で処理が行なわれる真空プロセス装置と、大気圧下で処理が行なわれるプロセス装置とが配置され、上記真空保管庫の出口と真空プロセス装置の入口との間を、真空下で被搬送物を搬送できる真空トンネル搬送装置で連結し且つ真空状態で連通し、上記大気圧下で処理が行なわれるプロセス装置の出口と真空保管庫入口の間をロードロック室を含む搬送装置で連結し、上記大気圧下の処理が終了した被保管物が上記ロードロック室で、真空雰囲気に置かれた後は、真空を破らずに上記真空保管庫及び上記真空プロセス装置へ保管/搬送される事を特徴とする半導体製造装置。
IPC (3件):
H01L 21/68 ,  B65G 49/07 ,  H01L 21/02
引用特許:
審査官引用 (4件)
  • 特開平4-263453
  • 特開平4-137613
  • 特開平4-263453
全件表示

前のページに戻る