フオトマスクの製造方法および欠陥修正方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-232121
公開番号（公開出願番号）：特開平5-072714
出願日： 1991年09月12日
公開日（公表日）： 1993年03月26日
要約：

【要約】【目的】フォトマスク上の微細な遮光パターンを高精度に加工することができ、かつ腐食性および毒性が低いエッチングガスを提供する。【構成】ガラス基板上に蒸着したCrまたはCrx Oy からなる遮光膜をドライエッチングしてフォトマスク6を製造する際、ドライエッチングの反応ガスとして、He、CF4 およびO2 からなる混合ガスを用いる。また、集束イオンビームを用いたガスアシストエッチングでフォトマスク6の黒点欠陥9を修正する際、反応ガスとして、He、CF4 およびO2 からなる混合ガスを用いる。

請求項（抜粋）：

ガラス基板上に堆積したクロムまたは酸化クロムからなる遮光膜をドライエッチングする際、ヘリウム、フッ化炭素および酸素の混合ガスからなる反応ガスを用いることを特徴とするフォトマスクの製造方法。

IPC (3件)：

G03F 1/08 , C23F 4/00 , H01L 21/302

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