SiC/Si間ヘテロ接合素子の作製方法及び同方法で作製した素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-158179
公開番号（公開出願番号）：特開2003-347212
出願日： 2002年05月30日
公開日（公表日）： 2003年12月05日
要約：

【要約】【課題】 α-SiCヘテロエピタキシャル等の結晶性薄膜を作製する方法、Si/α-SiC間のヘテロ接合により電子素子を作製する方法、及び同接合素子を提供する。【解決手段】 α-SiCターゲットと1300°C領域の高温まで基板を加熱できる基板加熱機構を用いるパルスレーザアブレーション方法による成膜方法により、p型やn型に半導体化したSiの(111)単結晶面を主に用いて、その上に高温型α-SiCのヘテロエピタキシャルや多結晶性薄膜を作製する方法、そのSiC/Siヘテロ接合間に金属電極を取り付けて、p/n接合や、ショットキー接合のI-V特性を有する素子を作製することを特徴とするSiC/Siヘテロ接合素子の作製方法、及び同方法により作製したSiC/Siヘテロ接合素子。

請求項（抜粋）：

パルスレーザをターゲット物質に照射してその物質を瞬間・パルス的にイオンやクラスター等の微粒子に分解・剥離(アブレーション)させ、それを所定の温度に温度制御した単結晶基板上に堆積させて、その基板上にターゲット物質の薄膜を作製する方法(PLD法)によりSiCエピタキシャル薄膜とSi間のヘテロ接合を作製する方法であって、高温型炭化ケイ素(α-SiC)のターゲットないし他の元素を微量ドーピングすることによりn型に半導体化させたα-SiCのターゲットを用いてアブレーションさせて、p型又はn型半導体化ケイ素(p-Si、n-Si)の単結晶(111)基板面上に、上記n型に半導体化させたα-SiCの単結晶(ヘテロエピタキシャル)薄膜を堆積させることにより、n型SiC/p型Si又はn型SiC/n型Siの接合を作製することを特徴とするSiC/Siヘテロ接合の作製方法。

IPC (8件)：

H01L 21/203 , C23C 14/06 , C23C 14/28 , C30B 23/08 , C30B 29/36 , H01L 29/165 , H01L 29/47 , H01L 29/872

FI (7件)：

H01L 21/203 Z , C23C 14/06 E , C23C 14/28 , C30B 23/08 Z , C30B 29/36 A , H01L 29/165 , H01L 29/48 D

Fターム (28件)：

4G077AA03 , 4G077BE08 , 4G077DA03 , 4G077EA02 , 4G077ED02 , 4G077HA06 , 4G077SA04 , 4G077SA07 , 4K029AA06 , 4K029AA24 , 4K029BA56 , 4K029BB08 , 4K029BB09 , 4K029BD01 , 4K029DB20 , 4K029EA08 , 4M104AA03 , 4M104AA07 , 4M104BB08 , 4M104CC03 , 4M104GG03 , 5F103AA10 , 5F103DD17 , 5F103GG01 , 5F103HH03 , 5F103JJ01 , 5F103JJ03 , 5F103RR10

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体薄膜形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-054097 出願人：シャープ株式会社
特開昭63-047984
特開昭61-150272

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