特許

J-GLOBAL ID：200903064684185520

半導体レーザ励起固体レーザ

発明者： 角谷 実
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 岩佐 義幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-212513
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055671
出願日： 1991年08月26日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：

【要約】【目的】 半導体レーザ励起固体レーザの出力変動を低減する。【構成】 Nd:YVO4 結晶の片側端面には励起波長に対して低反射かつ固体レーザの発振波長に対して高反射となる第1の誘電体多層膜が施してある。また、Nd:YVO4 結晶の第1の誘電体多層膜が施してある面に向かい合う面には、励起波長に対して高反射かつ固体レーザの発振波長に対して低反射となる第2の誘電体多層膜が設けてある。半導体レーザはその放射面をNd:YVO4 結晶に近接させて設けてある。固体レーザ結晶の第2の誘電体多層膜を施してある側の面は凸球面になっている。

請求項（抜粋）：

半導体レーザの放射面を固体レーザ結晶に近接させて励起する半導体レーザ励起固体レーザにおいて、前記固体レーザ結晶を平行平板状とし、前記半導体レーザ側の前記固体レーザ結晶の面に施した第1の誘電体多層膜の前記半導体レーザの波長における反射率をR1 とし、前記第1の誘電体多層膜を設けた側とは反対側の前記固体レーザ結晶の面に施した第2の誘電体多層膜の前記半導体レーザの波長における反射率をR2 とし、前記半導体レーザと前記固体レーザ結晶の間隔をdとし、前記固体レーザ結晶の厚さをtとし、前記固体レーザ結晶の屈折率をnとし、前記固体レーザ結晶の前記半導体レーザの波長における吸収係数をαとするとき、【数1】を満たすことを特徴とする半導体レーザ励起固体レーザ。

IPC (3件)：

H01S 3/094 ,  H01S 3/08 ,  H01S 3/16

FI (2件)：

H01S 3/094 S ,  H01S 3/08 Z