特許

J-GLOBAL ID：200903064686943406

半導体記憶装置

発明者： 波多野 壮一 ,  亀井 隆夫
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 徳若 光政
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-338144
公開番号（公開出願番号）：特開平9-161475
出願日： 1995年12月01日
公開日（公表日）： 1997年06月20日
要約：

【要約】【課題】 複雑なコマンド列の入力を必要とするシンクロナスDRAM等のアクセス制御を簡素化し、その利便性の向上と低コスト化を図る。【解決手段】 例えばロウアドレスストローブ信号RASB,カラムアドレスストローブ信号CASB,ライトイネーブル信号WEBならびにアドレス信号A10等の組み合わせで指定される複数のコマンドが所定の組み合わせで時系列的に連続して入力されることにより選択的に実行される各種の動作モードを有するシンクロナスDRAM等において、上記動作モードのそれぞれに対応するコマンド列を単一のマクロコマンドとして記憶するためのコマンドレジスタCRA,CRR,CRCならびにCRWを設けるとともに、これらのマクロコマンドが入力されることにより対応するコマンド列を順次読み出し対応する動作モードを選択的に実行する機能を持たせる。これにより、単一のマクロコマンドを入力するだけで、複雑なコマンド列の入力を必要とする各種動作モードを容易にかつ選択的に実行しうるシンクロナスDRAM等を実現する。

請求項（抜粋）：

複数のコマンドが所定の組み合わせで時系列的に連続して入力されることにより選択的に実行される動作モードを有し、かつ上記動作モードのそれぞれに対応する複数のコマンドを単一のマクロコマンドとして記憶しこれらのマクロコマンドが入力されることにより対応する上記動作モードを選択的に実行する機能を有することを特徴とする半導体記憶装置。