特許

J-GLOBAL ID：200903064690352692

光学活性三級ホスフイン化合物およびこれを配位子とする遷移金属錯体

発明者： 林 民生 ,  魚住 泰広 ,  山▲ざき▼ 明子 ,  雲林 秀徳
出願人/特許権者： 高砂香料工業株式会社
代理人 (1件)： 小野 信夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-266864
公開番号（公開出願番号）：特開平5-017491
出願日： 1991年09月19日
公開日（公表日）： 1993年01月26日
要約：

【要約】 (修正有)【構成】 次の一般式[式中、Phはフェニル基を示し、Rは低級アルキル基又は基-OR1(ここでR1は、水素原子、炭素数5〜7のシクロアルキル基または、ハロゲン原子、低級アルコキシ基若しくはフェニル基で置換されていても良い炭素数1〜6のアルキル基を示す。但し、低級アルコキシ基は更に別の低級アルコキシ基で置換されていても良い)を示す]で表される2-置換-2’-ジフェニルホスフィノ-1,1,-ビナフチルおよびこれを配位子とする遷移金属錯体。【効果】 得られた遷移金属錯体は、不斉合成反応、例えば不斉シリル化反応の触媒等として用いると、高い収率でかつ高い不斉収率で目的物を与える。また、不斉合成反応において所望する絶対配置の目的物を得ることができる。

請求項（抜粋）：

次の一般式(I)【化1】[式中、Phはフェニル基を示し、Rは低級アルキル基又は基-OR1(ここでR1は、水素原子、炭素数5〜7のシクロアルキル基または、ハロゲン原子、低級アルコキシ基若しくはフェニル基で置換されていても良い炭素数1〜6のアルキル基を示す。 但し、低級アルコキシ基は更に別の低級アルコキシ基で置換されていても良い)を示す]で表される2-置換-2'-ジフェニルホスフィノ-1,1'-ビナフチル。

IPC (3件)：

C07F 9/50 ,  B01J 31/24 ,  C07F 15/00