電界効果トランジスタおよびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：杉村次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-026325
公開番号（公開出願番号）：特開平8-204197
出願日： 1995年01月20日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：

【要約】【目的】ゲート電極とソース/ドレイン電極が平面的に重なりがあってもドレイン側の不純物拡散層がゲートの電界の影響を受けない電界効果トランジスタを提供する。【構成】半導体薄膜12上の両側に形成したソース/ドレイン電極14A、14Bの下に、n+拡散層13を後退するように形成することにより、特に、ドレイン電極14B側のn+拡散層13が、ゲート電極17より発生する電界の影響を受けないようにした。このため、ゲート電極17とドレイン電極14Bとが重なりあっても、素子特性の良好な電界効果トランジスタを実現することができる。また、ゲート電極17とソース/ドレイン電極との重なりが許容できるため、素子の微細化、高集積化を達成することができる。

請求項（抜粋）：

半導体層のソース・ドレイン形成領域にそれぞれ不純物拡散層が設けられ、これらの不純物拡散層にそれぞれソース・ドレイン電極が設けられ、前記半導体層上とゲート電極との間にゲート絶縁膜を介してなる電界効果トランジスタにおいて、少なくとも前記ドレイン電極側の前記不純物拡散層の前記ゲート電極側の端部が前記ゲート電極に対して前記ドレイン電極の端部より外側にあることを特徴とする電界効果トランジスタ。

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開平3-091265
画像読取装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-098963 出願人：カシオ計算機株式会社

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